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UniTB:通用哈密顿量学习框架发布

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AI 综述

Mingkang Liu等作者提出通用E(3)等变哈密顿量表示框架UniTB,将密度泛函紧束缚理论的物理先验与深度学习结合。作者称,在覆盖68种元素的非磁性测试晶体上,该框架的矩阵元误差为0.48 meV。 其UniTB-Flash变体以O(N)成本从双中心表构建先验,作者称无需非晶训练数据即可与DFT的光学和电导结果一致。两模型共筛选16,195种晶体,用于五个工业应用领域。

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报道时间线

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10月28日
  1. arXiv cs.AI
    UniTB:以物理结构为组织原则的通用哈密顿量学习框架

    UniTB 是一个通用 E(3) 等变哈密顿量表示框架,将密度泛函紧束缚理论的物理先验与深度学习结合,在覆盖 68 种元素的非磁性测试晶体上实现 0.48 meV 的矩阵元误差。其 UniTB-Flash 变体以 O(N) 成本从双中心表构建先验,无需非晶训练数据即可与 DFT 的光学和电导结果一致,两模型共筛选 16,195 种晶体用于五个工业应用领域。

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