英飞凌在300毫米碳化硅晶圆上制出功能功率器件
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英飞凌在300毫米碳化硅晶圆上制出功能功率器件
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英飞凌在奥地利 Villach 工厂利用现有硅制造设备,首次在全尺寸晶圆厂环境中将 300mm 碳化硅晶圆加工成功能功率器件。300mm 晶圆直径更大,每片可产出比 200mm 多 2.3 倍的芯片。 英飞凌称,300mm 碳化硅技术的规划和量产时间将与其客户和合作伙伴密切协商确定,同时继续推进 200mm 碳化硅制造路线图。公司将于 11 月 10 日起在慕尼黑 electronica 展会展出首片加工完成的 300mm 碳化硅晶圆。
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最新进展11月10日 02:25
Infineon 在 300mm 碳化硅晶圆上制出功能功率器件报道时间线
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11月10日
- Hacker NewsInfineon 在 300mm 碳化硅晶圆上制出功能功率器件
Infineon 在奥地利 Villach 工厂利用现有硅制造设备,首次在全尺寸晶圆厂环境中将 300mm 碳化硅晶圆加工成功能功率器件。300mm 晶圆直径更大,每片可产出比 200mm 多 2.3 倍的芯片。公司将于 11 月 10 日起在慕尼黑 electronica 展会展出首片加工完成的 300mm SiC 晶圆,并同步推进 200mm SiC 路线图。
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