Infineon 在 300mm 碳化硅晶圆上制出功能功率器件

• 英飞凌推出业界首款基于300毫米碳化硅晶圆加工的功能性功率器件
• 技术突破彰显英飞凌在功率半导体和宽禁带技术领域的创新实力与领导地位
• 300毫米SiC工艺可行性为面向汽车、可再生能源、工业和AI数据中心应用的SiC供应奠定安全且面向未来的基础
• 英飞凌将于2026年11月10日在慕尼黑electronica展会上首次公开展示首片已加工的300毫米SiC晶圆

德国慕尼黑——2026年11月9日——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）已在其位于奥地利菲拉赫的工厂成功将300毫米碳化硅晶圆加工为功能性功率器件。英飞凌是首家在全面量产的半导体工厂环境中实现这一创新里程碑的公司。该成果通过利用现有硅（Si）制造设备得以实现。功能性功率器件的这一早期成果体现了英飞凌坚定致力于为客户提供全面的高性能SiC功率半导体产品组合并确保长期供应。与200毫米晶圆相比，300毫米晶圆上的芯片生产在技术上更为先进且效率显著更高，因为更大的晶圆直径使每片晶圆可产出2.3倍的芯片。

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一技术里程碑进一步巩固了我们在功率系统领域的领导地位。祝贺并感谢我们充满热情的团队，他们在将300毫米SiC从实验室推向制造环境方面取得了重大进展。功率半导体领域的领导地位意味着不断推动技术迈向新高度。凭借硅、氮化镓以及如今的300毫米碳化硅晶圆，我们处于领先地位，能够扩大半导体制造规模并推动盈利增长。”

该里程碑展示了SiC在300毫米晶圆上未来全面产业化的潜力。英飞凌将与客户和合作伙伴密切协作，规划300毫米SiC技术及量产时间表，同时继续推进其200毫米SiC制造路线图。先进的SiC功率技术为英飞凌客户在汽车、可再生能源、工业和AI数据中心应用领域提供具有成本效益且安全的供应基础。

SiC是高效功率转换的关键半导体材料。其材料特性可实现更低的功率损耗、更高的功率密度，并在高电压和高温下高效运行，例如应用于牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电器、大规模储能和工业驱动以及不间断电源。随着SiC在固态变压器、断路器和电源单元中发挥新作用，AI数据中心的需求也在上升。英飞凌通过广泛的CoolSiC™产品组合满足这些应用需求。

与此同时，英飞凌还在其位于德国德累斯顿的工厂成功验证了其 Cold Split 技术对 300 毫米 SiC 的可行性。Cold Split 将晶圆与 SiC 晶锭分离，与传统的线锯相比，材料损耗更少，加工时间大幅缩短，因此与更低的资本支出相比，可以从同一晶体中获得更多晶圆。这两项进展使英飞凌能够根据市场需求扩大 SiC 技术规模，并满足客户不断变化的需求。

英飞凌基于所有三种相关材料制造半导体：硅、碳化硅和氮化镓。2026 年 10 月 27 日，该公司宣布投资约 11 亿欧元，在菲拉赫建设一座用于 300 毫米晶圆上 GaN 功率半导体的大批量制造工厂。这一 SiC 成就将这一方法扩展到第二种宽禁带材料，并巩固了英飞凌作为半导体制造创新领导者的地位。

英飞凌亮相 electronica 2026

英飞凌将在慕尼黑 electronica 展会上向公众展示全球首片经过加工的 300 毫米 SiC 晶圆。11 月 10 日至 13 日，英飞凌将在 C3 展厅 502 号展位展示面向日益智能化和互联化世界的创新节能解决方案。更多信息请访问 www.infineon.com/electronica。

英飞凌科技股份公司是功率系统和物联网领域的全球半导体领导者。英飞凌通过其产品和解决方案推动脱碳和数字化。该公司在全球拥有约 57,000 名员工（截至 2025 年 9 月底），2025 财年（截至 2025 年 9 月 30 日）营收约为 147 亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），并在美国 OTCQX International 场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。