美光公布G11存储芯片规格与量产计划
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美光公布G11存储芯片规格与量产计划
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AI 综述
美光公布下一代存储芯片G11的规格：在相同硅片面积上可容纳约两倍于当前G9的数据，堆叠层数从276层提升至400层以上，传输速度最高提升1.5倍，每bit搬运能耗降低超25%。该芯片面向AI数据中心大量采购的大容量SSD。 美光称G11预计2027年下半年量产，搭载G11的硬盘会更晚上市。美光未透露每GB成本降幅，并称更高的堆叠层数和第二片键合晶圆也会增加成本。
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最新进展10月24日 16:19
美光 G11 存储芯片：容量翻倍、能效提升报道时间线
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10月24日
- RadarAI美光 G11 存储芯片：容量翻倍、能效提升
美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片上可容纳约两倍于当前 G9 的数据，堆叠层数从 276 层提升至 400 层以上，传输速度最高提升 1.5 倍，每 bit 搬运能耗降低超 25%。该芯片面向 AI 数据中心大量采购的大容量 SSD，预计 2027 年下半年量产，搭载 G11 的硬盘会更晚上市，美光未透露每 GB 成本降幅。
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