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美光 G11 存储芯片：容量翻倍、能效提升
AI 导读
美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片上可容纳约两倍于当前 G9 的数据，堆叠层数从 276 层提升至 400 层以上，传输速度最高提升 1.5 倍，每 bit 搬运能耗降低超 25%。该芯片面向 AI 数据中心大量采购的大容量 SSD，预计 2027 年下半年量产，搭载 G11 的硬盘会更晚上市，美光未透露每 GB 成本降幅。
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Rohan Paul· @rohanpaul_ai · X·2026-10-24 16:19· 35 分钟前AI 评分43
AI 导读
美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片上可容纳约两倍于当前 G9 的数据，堆叠层数从 276 层提升至 400 层以上，传输速度最高提升 1.5 倍，每 bit 搬运能耗降低超 25%。该芯片面向 AI 数据中心大量采购的大容量 SSD，预计 2027 年下半年量产，搭载 G11 的硬盘会更晚上市，美光未透露每 GB 成本降幅。
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美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片上可容纳约两倍于当前 G9 的数据，这是实现更大容量 SSD 的主要途径，而 AI 数据中心目前正大量采购这类 SSD。
G9 将存储单元堆叠至 276 层高。美光跳过了 G10 这一命名，为 AI 重新设计了下一代芯片，并将其命名为 G11：它堆叠超过 400 层，每个单元排布更紧密，因此同样尺寸的芯片可容纳约两倍的数据，传输速度最高提升 1.5 倍，每 bit 搬运能耗降低超 25%。
量产将于 2027 年下半年启动，因此采用 G11 的硬盘会更晚上市，美光也未透露每 GB 成本会降低多少，因为更高的堆叠层数和第二片键合晶圆也会增加成本。
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