佳能拟2029年前扩产后段微影设备产能50%
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佳能拟2029年前扩产后段微影设备产能50%
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AI 综述
佳能宣布将在2029年前把半导体后段制程微影设备产能提高50%，以应对AI芯片和HBM需求激增。宇都宫新工厂计划于2027年实现满载生产，支持台积电和HBM生产。 这一扩产针对的是后段制程微影设备，而非全部半导体设备。报道同时提到，日本芯片设备销售额已连续8个月增长，8月创历史新高。
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最新进展10月21日 18:59
佳能光刻机产能扩产 50%，应对 AI 芯片与 HBM 需求报道时间线
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10月21日
- RadarAI佳能光刻机产能扩产 50%，应对 AI 芯片与 HBM 需求
佳能宣布将在 2029 年前把半导体后段制程微影设备产能提高 50%，以应对 AI 芯片和 HBM 需求激增。宇都宫新工厂将于 2027 年满载生产，支持台积电和 HBM 生产。日本芯片设备销售额已连续 8 个月增长，8 月创历史新高。
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