Micron 公布至 2030 年内存与存储芯片路线图：单栈 HBM4 带宽 2.8 TB/s

Rohan Paul· @rohanpaul_ai · X·2026-10-24 18:14· 2 小时前AI 评分58

AI 导读

Micron 在最新报告中公布其计划到 2030 年推向市场的内存与存储芯片路线图。报告称单栈 HBM4 带宽达 2.8 TB/s，约 13 块顶级 AI GPU（每块 8 栈）的总内存带宽即可匹敌全球国际互联网约 282 TB/s 的容量；Nvidia GPU 单卡内存从 H100 的 80GB 增至 B300 的 288GB，AI 上下文长度估计每年增长 30x。

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Micron 在最新报告中详细介绍了其计划到 2030 年推向市场的内存与存储芯片。

这份演示文稿中的一些重要发现

单个 HBM4 内存栈的带宽达 2.8 TB/s，因此约 13 块顶级 AI GPU（每块 8 栈）的内存带宽总和，就相当于全球国际互联网约 282 TB/s 的总容量。（附第 12 页幻灯片，“HBM4 与全球互联网带宽对比”。）

Nvidia GPU 的单卡内存从 H100 的 80GB 增至 B300 的 288GB，增长 3.6 倍；Micron 估计 AI 上下文长度每年增长 30 倍。一辆 robotaxi 所需的内存是当今驾驶辅助汽车的 10 倍以上。（附第 5 页幻灯片，“每一波 AI 浪潮都推高内存需求”。）

Micron 计划在 2028 年实现“垂直 HBM”，将内存直接堆叠在 GPU 上方而非旁边，从而缩短数据路径，提升每瓦 AI 输出；Micron 称这些日期为目标。（简单图示见第 20 页幻灯片，2026 至 2030 年路线图见第 22 页。）

根据 2 个内部项目，能编写和检查芯片逻辑的 AI 智能体，加上 AI 编写的固件，使 Micron 完成 SSD 控制器设计的时间缩短 50%，让 SSD 做好面向客户准备的时间缩短 60%。（附第 27 页幻灯片，“AI 让 Micron 快 2 倍”。）

在研究一种名为 4F² 的更高密度 DRAM 单元布局 20 多年后，Micron 因其成本过高、过于复杂而放弃，与正在推进该技术的 SK hynix 和 Samsung 分道扬镳，转而以 3D 方式向上构建 DRAM。（附第 16 页幻灯片，“DRAM 路线图”。）

Micron 正在设计 GPU 能以小块直接读取的闪存，以及在加速器旁采用 HBM 式堆叠的闪存，用于存放模型权重和长 AI 对话的工作内存，目标是每秒 2500 万至 1 亿次操作。（附第 24 页幻灯片，“AI 级 NAND”。）

Micron 在单根 50 µm 人类头发的宽度内可容纳超过 1,500 个内存电容；如今每片 DRAM 晶圆所容纳的比特数比 1995 年多 400 倍以上，历经 22 个制造世代。（附第 9 页幻灯片；第 11 页的 Porsche 对比可作为补充。）

来源：Rohan Paul · x.com